亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备（清采比选20240689号）采购公告

亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备（清采比选（略）号）采购公告发布时间：（略）:51:37阅读量：10次
采购项目名称：（略）
公告开始时间（略）:51:37公告截止时间（略）:00:00
对外联系人：（略）
签约时间要求成交后10个工作日内(如不按时签订合同，采购单位：（略）
采购单位：（略）
最高限价￥490,000.00未公布
国内合同付款方式：（略）
交货地址：（略）
供应商特殊资质要求无
采购清单1
物资名称：（略）
亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备1台
品牌品牌1
（略）
品牌2
（略）
品牌3
（略）
单价￥490,000.00
技术参数及配置要求1.适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积，8英寸样品不均匀性≤3%；2.设备本底真空优于3Pa，泄露率低；3.样品台加热温度最高可达400℃；4.能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜，击穿场强>0.8V/nm；5.能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
质保期24个月
清华大学
（略）:51:37
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