超高真空氮化物分子束外延生长系统采购意向公告

为便于供应商了解采购信息，根据《物资服务集中采购需求管理暂行办法》等有关规定，（略）的采购意向公开如下：
（略）采购项目名称：（略）
1（略）采购内容：（略）
采购数量：1套
主要功能或目标：针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。
需满足的要求：（略）1套。该系统专门针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。（略）的设备设计、安装、调试、培训及售后等。
（略）主要包括以下部分：1.生长腔（1）系统最大可外延单片3英寸衬底，兼容单片2英寸、1英寸或更小衬底。（2）腔内安装液氮冷屏。（3）配套冷凝泵和离子泵，均配备闸板阀，经充分烘烤冷却后，基础真空低于5×10-10Torr，极限真空优于2×10-10Torr。（4）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。（5）安装束流规，可自动定位于测试位置和收回位置。（6）安装RGA及电子放大器模块。（7）配置蒸发源观察视窗和传样观察视窗，均配备挡板。（8）配置传样闸板阀，用来隔绝生长腔和预处理腔。（9）安装1个热唇蒸发源、1个冷唇蒸发源和1个高通量射频等离子源，每个源均配备蒸发源挡板。（10）热唇蒸发源、冷唇蒸发源：坩埚容量≥110cc，（略）独立加热，最高加热温度≥1350℃，温度稳定性≤±0.2℃。（11）高通量射频等离子源：满足N2的等离子激发，射频功率≥500W，气体流量0.1~10sccm。（12）安装RHEED，电子能量≥15keV，具有X、Y、Rocking和Beamblanking功能，配备远程控制模块，配套荧光屏和荧光屏挡板，配套CCD相机和图像分析软件。（13）安装衬底加热器，可加热最大单片3英寸衬底。最高加热温度可达1100℃。配备热偶及PID控温，温度稳定性≤±0.2℃。衬底可连续旋转，最大转速≥60RPM。配套直流电源。配备衬底挡板。2.预处理腔（1）连接生长腔和进样腔，配置水平传样杆，实现衬底托盘传递。（2）配备视窗及挡板，可以查看衬底传至衬底加热台。（3）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。（4）配套离子泵，极限真空优于5×10-10Torr。（5）配置衬底加热台，可加热最大3英寸衬底，加热温度不低于600℃。（6）可存放不少于2个3英寸衬底托盘。3.进样腔（1）配置闸板阀，用来隔离进样腔和预处理腔。（2）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。（3）配置分子泵和前级泵，分子泵配置闸板阀，极限真空优于5×10-8Torr。（4）配置红外烘烤灯，最高加热温度不低于150℃。（5）可一次性放入4个3英寸衬底托盘。（6）可自动vent和抽气。4.（略）（1）（略），含配套PC及硬件，包括生长工艺程序编写、自动生长控制、不间断数据记录等功300.002024年09月无
注：1.本次意向公开的采购意向仅作为供应商了解初步采购安排的参考，采购项目具体情况以最终发布的采购公告和采购文件为准；
2.（略）反馈参与意向和意见建议。
联系人：（略）
联系方式：（略）