高端化合物半导体器件模组

项目名称：（略）
项目代码:（略）-（略）
建设内容及规模:项目占地约193亩，总建筑面积139890㎡，达产年预计年产芯片6万片、可调谐激光器10万只、超辐射发光二极管SLED10万只、探测器10万只、Y波导10万只、光纤环5万只等材料和器件。同时建设相配套的给排水、供配电、道路、绿化等辅助工程。
建设地点：（略）
建设性质:新建
行业类别:工业/电子
环境影响评价管理类别:环境影响报告表
项目总投资（万元）:200000
环保投资（万元）:2500
建设单位：（略）
通讯地址：（略）
邮政编码:430000
环评单位：（略）
是否受理:是
受理时间:（略）
公告开始日期:（略）
公告结束日期:（略）
公示名称：（略）
公示内容:暂无内容
公众听证权利告知:根据建设项目环境影响评价审批程序的有关规定，我厅（局）拟审批高端化合物半导体器件模组项目项目环境影响评价文件。现将拟审批的环境影响评价文件基本情况予以公示。听证权利告知：依据《中华人民共和国行政许可法》，自公示起五日内申请人、利害关系人可提出听证申请。
公众反馈意见联系方式：（略）
公示部门:武汉东湖新技术（略）生态环境和水务湖泊局
主要环境影响和环境保护对策与措施:暂无内容
建设单位：（略）
建设单位：（略）
依法公开的环评文件全本:附件：8、公开全本-先导高端化合物半导体器件模组.pdf