超高真空氮化物分子束外延生长系统采购意向公开

为便于供应商及时了解军队采购信息，根据《军队物资服务集中采购需求管理暂行办法》等有关规定，现（略）（略）采购项目采购意向公开如下：
（略）
采购项目名称：（略）
需求概况
初步技术参数
预算金额（万元）
预计采购时间
备注
1
（略）
（略）1（略）专门针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。（略）的设备设计、安装、调试、培训及售后等.。
1.生长腔
（1）系统最大可外延单片3英寸衬底，兼容单片2英寸、1英寸或更小衬底。
（2）腔内安装液氮冷屏。
（3）配套冷凝泵和离子泵，均配备闸板阀，经充分烘烤冷却后，基础真空低于5×10-10Torr，极限真空优于2×10-10Torr。
（4）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。
（5）安装束流规，可自动定位于测试位置和收回位置。
（6）安装RGA及电子放大器模块。
（7）配置蒸发源观察视窗和传样观察视窗，均配备挡板。
（8）配置传样闸板阀，用于隔绝生长腔和预处理腔。
（9）安装1个热唇蒸发源、1个冷唇蒸发源和1个高通量射频等离子源，每个源均配备蒸发源挡板。
（10）热唇蒸发源、冷唇蒸发源：坩埚容量≥110cc，（略）独立加热，最高加热温度≥1350℃，温度稳定性≤±0.2℃。
（11）高通量射频等离子源：满足N2的等离子激发，射频功率≥500W，气体流量0.1~10sccm。
（12）安装RHEED，电子能量≥15keV，具有X、Y、Rocking和Beamblanking功能，配备远程控制模块，配套荧光屏和荧光屏挡板，配套CCD相机和图像分析软件。
（13）安装衬底加热器，可加热最大单片3英寸衬底。最高加热温度可达1100℃。配备热偶及PID控温，温度稳定性≤±0.2℃。衬底可连续旋转，最大转速≥60RPM。配套直流电源。配备衬底挡板。
2.预处理腔
（1）连接生长腔和进样腔，配置水平传样杆，实现衬底托盘传递。
（2）配备视窗及挡板，可以查看衬底传至衬底加热台。
（3）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。
（4）配套离子泵，极限真空优于5×10-10Torr。
（5）配置衬底加热台，可加热最大3英寸衬底，加热温度不低于600℃。
（6）可存放不少于2个3英寸衬底托盘。
3.进样腔
（1）配置闸板阀，用于隔离进样腔和预处理腔。
（2）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。
（3）配置分子泵和前级泵，分子泵配置闸板阀，极限真空优于5×10-8Torr。
（4）配置红外烘烤灯，最高加热温度不低于150℃。
（5）可一次性放入4个3英寸衬底托盘。
（6）可自动vent和抽气。
4.（略）
（1）（略），含配套PC及硬件，包括生长工艺程序编写、自动生长控制、不间断数据记录等功能。
（2）PLC系统可实现真空互锁、水流量互锁等功能。
5.其它
（1）系统支架、烘烤设备及铜垫圈、衬底托盘等其他配件
（2）系统安装及运行的必备部件，（略）、冷水机、安装工具、控制软件等。
（3）设备设计、安装、调试、培训及售后。
300.00
2024.07
注：1.本次公开的采购意向仅作为供应商了解初步采购安排的参考，采购项目具体情况以最终发布的采购公告和采购文件为准；
2.（略）反馈参与意向和意见建议；
联系人：（略）