南京大学2024年政府采购意向公开（第28批）

为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将南京大学2024年政府采购意向公开（第28批）政府采购意向公开如下：
（略）采购项目名称：（略）
（略）改造（略）A（略）LED显示屏,A（略）通用摄像机,A（略），需新建LED大屏；（略），满足关键部位90天存储需求；在校园内新增摄像机，实现夜间全彩效果。（略）年08月
2南京大学（略）年度日常维修工程（略）B（略）房屋修缮本项目为南京大学仙（略）外设施日常维修工程、防水日常维修工程、日常维修水电保障工程土建施工配合、电力设施设备维修保障和故障应急抢修工程等施工及保修。（略）年08月
3南京大学仙（略）学生宿舍二组团淋浴间改造（略）A（略）淋浴房南京大学仙（略）学生宿舍二组团淋浴间改造包括约5080平方米隔断的更新，旧隔断的拆除及新隔断的采购、安装、调试等。276.72024年08月
4南京大学鼓（略）开闭所建设（部分高压电缆敷设），（略）内约1400米10kV400高压电缆敷设、调试送电及保修。（略）年08月
5激光扫描共聚焦显微镜（略）A（略）显微镜南京大学拟采购激光扫描共聚焦显微镜一套，主要用于组织切片、生物材料荧光标记、活细胞荧光标记的高空间分辨率成像。主要参数要求如下：不少于四个独立的高灵敏度荧光检测器，全固态激光器≥5根，光谱检测范围≥400-900nm。质保≥1年。（略）年10月
6PECVD化学气相沉积设备（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购PECVD化学气相沉积设备一套，要求：8英寸、ICP电源+（略）（略）、配6（略）。质保期1年。（略）年10月
7磁控溅射薄膜沉积设备（略）A（略）磁式分析仪南京大学拟采购磁控溅射薄膜沉积设备一套，要求：1.衬底4英寸向下兼容；2.6个2英寸靶枪；3.溅射速率0.01nm/s-1nm/s;4.本底真空：8E-6Torr;5.温度：室温-800℃；6.转速0-20RPM；7.包含进样室。质保期1年。（略）年10月
8low-k介质沉积设备（略）A（略）真空获得设备南京大学拟采购low-k介质沉积设备一套，要求：1.极限真空低于5.0E-5Pa，恢复真空15分钟之内达到2E-3Pa；2.配置电子枪数量≥1，能够蒸SiO2、Al2O3、MgF2等镀膜材料；3.射频辅助等离子源1套，离子流密度分布均匀；4.（略）1套；5.光学膜厚仪1套，监控波长范围（略）nm，波長精度≤±1nm；基底最高加热温度：≥350℃，均匀性≤10℃。质保期1年。（略）年10月
9ICP电感耦合等离子体刻蚀设备（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购ICP电感耦合等离子体刻蚀设备一套，要求：1.腔室极限真空优于0.05mTorr，腔室漏气率优于1mTorr/min，控压范围2mTorr~100mTorr，控压精度±0.2mTorr；2.片内/片间刻蚀不均匀性≤5%，极差法计算。质保期1年。（略）年10月
10超声扫描显微镜（略）A（略）显微镜南京大学拟采购超声扫描显微镜一台，要求：1.最大扫描速率：1000mm/s；2.扫描范围：400mmx400mm；3.扫描轴定位精度：X/Y轴±0.5μm；4.采样速率:1G/s、1.5G/s、3G/s可选。质保期1年。（略）年10月
11真空互联双腔原子层沉积设备（略）A（略）真空获得设备南京大学拟采购真空互联双腔原子层沉积设备一套，要求：真空双腔结构，最大可放置直径8英寸晶圆；6路液/（略）+4（略）。质保期1年。（略）年10月
12晶圆退火设备（略）A（略）真空应用设备南京大学拟采购晶圆退火设备一套，要求：8英寸、最高1150度。质保期3年。（略）年10月
13真空退火设备（略）A（略）真空应用设备南京大学拟采购真空退火设备一套，要求：最高1000度、4路气体可选、配流量计。质保期3年。（略）年10月
14通用半导体刻蚀机（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购通用半导体刻蚀机一台，要求：8英寸兼容、4路气体、可加热至不低于400摄氏度。质保期1年。（略）年10月
15高速误码仪（略）A（略）其他光通信设备南京大学拟采购高速误码仪一台，要求：1、支持NRZ、PAM4、PAM6、PAM8等调制格式；2、2-120GBaud速率覆盖范围3、具备FEC符号错误纠正功能。质保期：3年。（略）年11月
16宽带任意波形发生器（略）A（略）声源、（略）发生器南京大学拟采购宽带任意波形发生器一台，要求：1.最高采样速率：224GSample/s；2.垂直分辨率：8Bit；3.（略）带宽：最高65GHz；4.输出幅度：400MHz时最高到5V；5.通道数：2，可以实现差分输出，可升级为4通道。质保期：3年。（略）年11月
17（略）（略）A（略）半（略）三套，要求：单机台支持1.96亿门设计容量，可灵活配置不同组合需求。质保期：1年。（略）年11月
18DDR4/5控制器和PHY（略）A（略）通信控制器南京大学拟采购DDR4/5控制器和PHY一套，要求：1.预先集成的控制器和PHY；2.支持DDR4/5，标准电压支持5600Mbps，加压支持6400Mbps，支持多种DIMM；3.支持DFI5.1/5.0/4x；4.位宽最多支持80bit；5.支持DFS,最多4个频率，支持低功耗模式；6.内嵌处理器支持灵活的训练机制和初始化流程；7.支持管脚互换，BIST自测试等多种功能。质保期：1年。（略）年11月
19PCIe5控制器（略）A（略）通信控制器南京大学拟采购PCIe5控制器一套，要求：1.支持PCIe1/2/3/4/5；2.支持RP,EP两种模式；3.支持PIPE4.4/5.2和RawInterface；4.支持AXI和CHI总线接口。质保期：1年。（略）年11月
20步进式光刻机（0.18-0.35）（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购步进式光刻机（0.18-0.35）一台，要求：8英寸兼容、分辨率达到350nm及以下，对准精度小于75nm。质保期1年。（略）年11月
21（略）（略）A（略）半导体器件参数（略）一套，要求：8英寸，自动化，实现≥130nm的显影工艺模组(8寸)；可实现精准的周边曝光功能，Spec:±0.1mm。质保期1年。（略）年11月
22超高真空双腔互联金属镀膜设备（略）A（略）真空应用设备南京大学拟采购超高真空双腔互联金属镀膜设备一套，要求：8英寸、双腔、10靶位、带高真空过渡舱、真空度低于1E-9Torr。质保期1年。（略）年11月
23RTP快速退火设备（略）A（略）真空应用设备南京大学拟采购RTP快速退火设备一套，要求：最高1150度、8英寸兼容、升温速率100度/s（（略）年11月
24高k（略）（略）A（略）真空获得设备南京大学拟采购高k（略）一套，要求：8英寸兼容、6路前驱体、具备plasma功能、热法兼容。质保期1年。（略）年11月
25（略）（略）A（略）半导体器件（略）一套，要求：1.采用不锈钢和进口铝材制成，腔室直径可放置8英寸晶圆；2.ICP电源和下电极电源，（略）；3.标配6（略），（略），（略）的防腐流量计；4.干泵+分子泵+粉尘过滤器，本底真空小于5E-6Torr，真空漏率小于5E-7Pa·L/S；5.PLC+（略）；6.短轴距设计，包含预真空室和真空机械手，用于基片的传输。质保期1年。（略）年11月
26无图形晶圆检测设备（略）A（略）光学仪器检测器具南京大学拟采购无图形晶圆检测设备一套，要求：支持晶圆尺寸4’’/6’’/8’’；支持晶圆类型BareSiC/SiCEPI；缺陷类型颗粒，划痕，微管，凹坑，凸起，层错，基平面位错，三角形缺陷，掉落物缺陷，胡萝卜缺陷，台阶聚并等；6’’检测效率＞20WPH(标准分辨率)；暗场DF光源波长320~330nmLaser灵敏度≤100nm；明场DIC光源波长370~380nmLaser灵敏度≤3nm；荧光PL激发光源320~330nm/370~380nmLaser；收集波长：可同时探测近红外、近紫外、可见光等多波段。质保期1年。（略）年11月
27自旋材料超高真空磁控溅射设备（略）A（略）真空应用设备南京大学拟采购自旋材料超高真空磁控溅射设备一套，要求：1.具有两个沉积工艺腔室，每个沉积腔集成至少6个3英寸可原位偏转超高真空共溅射靶枪，并预留1个3英寸正溅射靶枪接口。所有靶枪均采用稀土磁铁，磁铁和冷却水隔离；所有靶枪可以承受200℃烘烤和10-11Torr真空；2.电动控制连续旋转样品台，旋转速率控范围为0~20rpm，样品台上基片最高加热温度800℃，PID温控精度±1℃，具有射频偏压功能；3.在6英寸（去除边缘5mm）的基片范围内薄膜沉积均匀性可达到±1.5%；4.主腔体极限真空优于6.75x10-9Torr，采用下游压力控制并配1000位阀门。质保期：1年。（略）年11月
28隧穿磁电阻比率测量仪（略）A（略）磁式分析仪南京大学拟采购隧穿磁电阻比率测量仪一台，要求：1.范围25mm，分辨率50nm，卡盘可容纳150x150mm的样品；2.分辨率±0.1mm；3.样品尺寸150x150mm，探针（略）域150x150mm；4.磁场强度±60mT，均匀性（略）年11月
29振动样品磁强计（略）A（略）磁式分析仪南京大学拟采购振动样品磁强计一台，要求：1.室温下的最大场强：＞2.6T，室温磁性测试灵敏度：5X10-8emu，数据采集速率：10ms/点;磁场分辨率：1m0e；2.磁场变化率100000e/s；磁矩稳定性：全量程的±0.05%/天；3.电磁体电源需采用水冷模式，电磁体电源要求采用双极四相限电源；4.电磁铁控制电源调制响应：≤0.17Hz(在±70A正弦波正常负载)，具有DC和AC模式。质保期：1年。（略）年11月
30IBE离子束刻蚀设备（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购IBE离子束刻蚀设备一套，要求：1.配备LL传送腔，反应腔室极限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min;2.配备8英寸下电极，下电极温度范围5~35℃，温度均匀性≤5%设定值；3.下电极转动角度范围-90~80°，step1°；下电极自转转速范围0~20rpm;4.离子束电流范围0~1000mA,离子束能量100~1000eV;射频电源最大功率1000W；5.双层Mo栅网，中和器电流0~1500mA6.刻蚀速率＞100A/min，片内片间均匀性＜5%。质保期：1年。（略）年11月
31（略）（略）A（略）磁式分析（略）一套，要求：1.系统采用闭循环制冷，无需灌装液氦或液氮等制冷液；2.制冷机类型及规格：脉冲管制冷；3.温度范围：1.9K-400K连续变温；4.降温时间：从300K降至稳定在1.9K≤50min(典型值~40min)；5.温度稳定性：±0.1%forT20K(典型值)；6.纵向磁体，最大磁场强度：±9T；7.扫描速度：0.1-200Oe/sec；8.从零场加至满场所需时间：≤8分钟；9.样品托底座电学针脚：12个；10.样品腔内径：≤25.4mm。质保期：1年。（略）年11月
328（略）（MOCVD）（略）A（略）真空获得设备南京大学拟采购8（略）（MOCVD）一套，要求：具备GaN基半导体材料外延生长功能；具备多种衬底兼容能力2/4/6/8寸，其中6/8寸衬底为单腔单片生长模式。质保期1年。（略）年11月
33紫外接触式曝光机（略）A（略）半导体器件参数测量仪南京大学拟采购紫外接触式曝光机一台，要求：用于化合物半导体晶圆的光刻图案化，兼容8英寸及以下晶圆。质保期3年。（略）年11月
本次公开的采购意向是本单位：（略）
南京大学招标办公室
2024年07月19日