技术需求-N型半导体硅单晶生长用大型超导CUSP磁体优化设计关键技术

技术需求-N型半导体硅单晶生长用大型超导CUSP磁体优化设计关键技术
信息来源:（略）上传时间：2024年07月25日浏览次数：2[关闭窗口]
需解决的主要技术难题
1.分析磁场位形分布对熔硅对流的影响，如何利用磁场抑制热对流和强迫对流，保持自由界面的毛细对流；2.分析磁场结构对硅熔体氧、碳等杂质输运的影响规律；3.分析硅单晶生长炉对超导磁场的影响规律，如何在硅单晶生长炉存在的情况下，实现磁场的可控调整。
期望实现的主要技术目标
1）结合12英寸450kg级投料量堆叠式N型半导体单晶炉结构，基于介观方法优化计算磁场结构对硅熔体对流及氧、碳等杂质输运的影响分析，设计合理的磁场外形结构；2）在磁场位形上该超导磁体需要形成Cusp场形，场形分布可根据需求进行调整；3）中心直径800mm圆环内水平磁场强度不小于2000Gauss；4）磁体的励磁时间不超过30min；5）（略）2.5m处的磁场小于100Gauss。
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相关单位：（略）