集成规模化光量子芯片流片外协单一来源公示

集成规模化光量子芯片流片外协单一来源公示
(一)外协项目名称：（略）
1、项目名称：（略）
集成规模化光量子芯片流片外协单一来源公示
2、项目简介：
根据项目需求，需要集成（略）。
(二)拟外协的物资或服务的说明
1、外协物资
（1）外协明细
（略）
名称：（略）
单位：（略）
数量
1
集成规模化光量子芯片流片外协
批
1
（2）交付资料一览表：
（略）
文件名称：（略）
单位：（略）
数量
1
出厂测试报告
份
1
2
发货单
份
1
（3）参数指标
（略）
名称：（略）
性能参数
1
集成规模化光量子芯片流片外协
1、流片类型为带加热电极的硅基无源流片，曝光尺寸不低于23mm×15mm，流片面积不小于2个完整晶圆；
2、提供包含光波导、光栅耦合器、阵列波导光栅、光分束器、波导交叉结构和热光相移器等器件的PDK库；
3、光波导在1550nm波长传输损耗≤2.0dB/cm；
4、TE模式光栅耦合器1550nm波段耦合损耗不高于4.7dB/facet，1.0dB带宽不低于25nm；
5、C波段8通道200G和400G的AWG，插入损耗不高于4dB，非均匀性插损均不高于1.5dB，串扰均不高于-15dB；
6、1550nm波长1x2MMI光分束器插入损耗≤0.4dB，失衡度≤15%；
7、1550nm波长2x2MMI光分束器插入损耗≤0.5dB，失衡度≤20%；
8、1550nm波长波导交叉结构TE模式的插入损耗≤0.3dB，串扰≤-30dB；
9、偏振分束器C波段TE模式的插入损耗不高于0.2dB，偏振消光比不低于20dB，3dB带宽不低于80nm；
10、提供长直波导量子光源等其他硅基光量子芯片相关流片服务及芯片表征测试服务等。
2、服务说明
（1）实施人员要求
技术支持工程师：供货方应在合同正式签订后6个月内交货至合同指定地点：（略）
（2）安装调试等要求
a)供应商须根据需求方通知的时间和地点：（略）
b)产品及服务各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。
（3）交货时间及交货地点：（略）
a)交货日期为合同正式签订后6个月内。
b)交货地点：（略）
（4）售后、质保、培训等要求
a)质保期1年，自验收合格之日起计算。
b)质保期内，若发生质量问题，乙方应在24小时内给予响应，48小时内提供甲方认可的解决方案。若非人为原因导致的故障，由乙方提供免费更换相关模块或维修等服务。若非乙方等人为因素导致的故障，可根据相关模块成本价格向甲方提供有偿服务。因产品质量问题所发生的费用，以及给甲方造成的损失，由乙方承担和赔偿。
c)质保期满后，乙方不得以任何借口拖延或中断对产品的售后服务。具体服务条款及费用收取，由甲乙双方共同协商。
d)针对售后服务需求，乙方可视情采用现场、线上、电话等形式，为甲方人员提供技术服务，负责解答甲方在产品使用中遇到的技术问题，并及时提出解决问题的建议或操作方法。
e)乙方应保证甲方在使用该产品或其中任何一部分时，不受第三方侵权指控。
f)乙方不得向第三方透露甲方的任何相关信息和提供的技术文件等资料以及加工交付的产品。
(三)采用单一来源外协方式：（略）
经项目组调研，目前国内外有许多流片厂商可提供大规模硅基光量子芯片流片服务，由于依托国外流片厂商有不自主可控、流片周期长、易受国际形势影响等不确定因素，且国内流片厂商从工艺节点到关键器件指标等参数均与国外流片厂商相当，因此本项目主要考虑依托国内流片厂商进行流片。国内目前提供公开硅基光量子芯片流片服务的厂商有中国科学院微电子研究所、（略）和上海微技术工业研究院3家；从流片经验来说，项目组前期以单一来源的方式：（略）
(四)拟定的唯一供应商名称：（略）
中国科学院微电子研究所
（略）
(五)论证意见
已于2024年6月5日完成外协需求论证专家评审，专家组成为4名高级职称专家、1名中级职称专家。评审专家组一致同意光量子芯片流片外协需求论证通过评审。
(六)公示期限
公示截止日期：2024年8月9日
(七)需求单位：（略）
需求单位：（略）
联系人：（略）
联系电话：（略）
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