澄清或变更简要说明:1、“表B技术规格表”中如下技术参数变更:1.1、“序号
(略)”原为:2根LPCVD炉管分别配备2台干泵(干泵参考品牌:Edwards、Ebara或Pfeiffer),投标人需在投标文件中注明所投干泵的品牌,现变更为:2根LPCVD炉管配备2台干泵(每根一台)(干泵参考品牌:Edwards、Ebara或Pfeiffer),投标人需在投标文件中注明所投干泵的品牌;1.2、“序号
(略)”原为:LPCVD炉管本底真空≤5mtorr,漏率≤6mtorr/min,从大气状态抽至本底真空时间≤8min(管路长度小于3m,且无弯曲),现变更为:LPCVD炉管本底真空≤5mtorr,漏率≤6mtorr/min,从大气状态抽至本底真空时间≤8min(管路长度小于3m,且无弯曲条件下);2、投标截止时间(开标时间)原为:2024年9月4日9时00分(北京时间),现变更为:2024年9月12日9时00分(北京时间)。3、邮寄递交截止时间原为:2024年9月3日16:00,现变更为:2024年9月11日16:00。4、投标保证金截止时间原为:2024年9月3日16:00,现变更为:2024年9月11日16:00。
(略)受招标人:
(略)
1低压化学气相沉积设备1套在低压下进行的CVD反应,主要用于在晶圆表面形成一层连续密闭的薄膜。真空下的气体可以被更精确的控制、反应氛围更为洁净、分子自由程加长更利于均匀性,并且可兼容退火热处理工艺。设备可自动上下晶舟,能够同时完成微纳器件、微纳光学器件等所需的多晶硅、厚氧化硅、氮化硅的沉积,并且可以完成退火工艺。
3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩:投标人必须是投标产品的制造商或投标产品的制造商授权的代理商,如为代理商需提供制造商针对本项目的授权书是否接受联合体投标:不接受未领购招标文件是否可以参加投标:不可以4、招标文件的获取:
(略)
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