全部选择
反选
反选将当前选中的变为不选,未选的全部变为选中。
华北
华东
华中
华南
东北
西北
西南
其他
取消
确定
招标专区
项目专区
数据市场
营销分析
增值服务
企业服务

光量子芯片流片外协单一来源公示

所属地区:北京 - 北京 发布日期:2024-08-28
所属地区:北京 - 北京 招标业主:登录查看 信息类型:单一来源公告
更新时间:2024/08/28 招标代理:登录查看 截止时间:登录查看
咨询该项目请拨打:187-8889-8240
光量子芯片流片外协单一来源公示
(一)外协项目名称:(略)
1、项目名称:(略)
光量子芯片流片外协。
2、项目内容:
按设计要求进行硅基光量子芯片流片。
(二)拟外协的物资的说明
1、外协明细:
(略)
名称:(略)
单位:(略)
数量
1
光量子芯片流片外协

1
2、指标参数:
(略)
名称:(略)
指标参数
1
光量子芯片
流片外协
1、流片面积为带加热电极的硅基无源完整晶圆1张和硅基有源完整晶圆1张,单个完整晶圆交付尺寸≥21.8mm×21.8mm;
2、提供包含光波导、光耦合器、1×2MMI光分束器、2×2MMI光分束器、波导交叉结构、热光相移器、调制器和探测器等器件的130nm工艺节点PDK库;
3、光波导在1550nm波长传输损耗≤1.5dB/cm;
4、TE模式光耦合器1550nm波长耦合损耗≤2.0dB/facet,1.0dB带宽≥50nm;
5、1550nm波长1×2MMI光分束器插入损耗≤0.1dB,失衡度≤10%;
6、1550nm波长2×2MMI光分束器插入损耗≤0.2dB,失衡度≤10%;
7、1550nm波长波导交叉结构TE模式插入损耗≤0.1dB,串扰≤-30dB;
8、热光相移器实现π相位翻转的功耗≤20mW,无插入损耗;
9、1550nm波长调制器的插入损耗≤4dB,3dB带宽≥30GHz;
10、1550nm波长探测器响应度≥0.8A/W,暗电流≤50nA,带宽≥40GHz;
11、提供量子光源等其他硅基光量子芯片相关流片服务及芯片表征测试服务等。
(三)采用单一来源外协方式:(略)
经调研,(略)、中国科学院微电子研究所和上海微技术工业研究院3家。通过对比分析,(略)提供的指标均达到项目流片要求。因此,(略)进行“光量子芯片流片外协”采购。
(四)拟定的唯一供应商名称:(略)
1、供应商名称:(略)
(略)
2、供应商地址:(略)
(略)
(五)论证意见
1、采购需求论证意见:
已于2024年7月5日组织召开了“光量子芯片流片外协采购需求论证报告评审会”,会议成立了由五位专家组成的评审专家组,评审专家组经过会议评审,一致认为“光量子芯片流片外协”采购需求明确,芯片流片外协指标论证科学,市场调研充分,可以执行后续采购流程。
2、采购方式:(略)
已于2024年7月26日组织召开了“光量子芯片流片外协采购方式:(略)
(六)公示期限
公示截止日期:2024年9月1日。
(七)需求单位:(略)
1、需求单位:(略)
(略)院。
2、需求单位:(略)
黄老师。
3、需求单位:(略)
(略)
(未经授权,严禁转载)
查看原文
热点推荐 热门招标 热门关注