霍尔效应测试仪

为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将华中科技大学2024年10月至12月政府采购意向公开如下：
（略）采购项目名称：（略）
1高重频大能量飞秒激光器YX（略）A（略）激光仪器拟采购高重频大能量飞秒激光器1台，是优质飞秒激光光源是开展飞秒及阿秒光学研究的前提条件。该设备具有优良的性能，完全可以支持飞秒及阿秒非线性光学等研究的顺利开展。中心波长：1030+/-10nm,功率稳定性PowerStability：＜1%RMS；？服务要求：供应商需提供全面的技术支持与维护服务，包括但不限于安装指导、操作培训及故障排除；质保期：3年以上，质保期内由厂家提供免费维修或更换。安全要求：产品需符合国际安全标准，配备必要的安全防护措施，保障使用者的安全。（略）年10月无
2（略）ATE（略）YX（略）A（略）（略）参数测量仪Pattern，最大采样率125MS/s；5、8通道GPIO，5VTTL输入电平，3.3VLVTTL输出电平；6、4通道示波器，100MHz带宽，1GS/s采样率，分辨率8bits；7、2通道任意波形发生器，频率20MHz，分辨率14bits；8、包含数字万用表功能，分辨率5？，最大电压300V；9、包含可编程直流电源功能，电压范围6V/±25V，最大电流1A；10、内置高性能X86处理器，预装Win10（略），搭载13.3寸触控屏幕；11、包含触摸交互侧屏，支持实验对应的教学知识点原理动画或视频展示以及实验原理、实验操作及结果记录等指导图文展示；12、（略）远程访问和控制，学生实验过程记录及评价；13、（略）芯片测试软件，提供可自由配置仪器参数功能的软面板，支持测量曲线和参数数据的完整展示和查看；14、支持LabVIEW、C和Python开发；15、提供4种真实芯片（ADC芯片、运算放大器芯片、74系列芯片、Memory芯片）的待测件；16、搭载面包板，配套实验线缆、实验对象板卡、完整的实验指导书和实验代码，（略）年10月
3（略）YX（略）A（略）（略）1套。主要技术指标：1.工艺极限线宽达到50nm；2.具备3D、2.5D、2D图形高精度直写能力；3.在适用性方面，可满足多种衬底、光刻胶的加工需求。4.横向最小特征尺寸≤50nm、横向最佳分辨率≤200nm、纵向最小分辨率≤300nm、拼接精度≤200nm、最小表面粗糙度≤30nm。（略）年10月
4（略）YX（略）A（略）（略）1套。主要技术指标：1、反应腔兼容8英寸以下的衬底，工艺温度为室温至500℃；2、配备6（略），3（略），3（略），管路最高加热温度300℃；3、（略）；4、配置1（略）；5、沉积HfO2(TEMAHf+H2O)，8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%，沉积ZrO2(TEMAZr+H2O)，8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%。（1sigma,边缘去除5mm,薄膜厚度采用椭偏仪测试）（略）年10月
（略）YX（略）A（略）（略）参数测量仪单、双、四运放的原理及硬件集成；数字资源集电压源、电流源、IVR测量、（略）触发、数据采集器功能一体；高精密数字板，测量范围+15V至-15V，+250mA至-250mA；精度满量程0.5%，全量程电压纹波小于1mV；定时边沿分辨率5nS，图形存储深度均不低于1M。驱动比较波形周期分辨率5nS；频率涵盖0~200KHz，频率准确度在±0.5%以内；测试IC直流参数，可以提供加压测流、加流测压的工作方式：（略）
6（略）YX（略）A（略）（略）1套。主要技术指标：1.反应腔室极限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min;2.配备8英寸下电极，下电极温度范围5~35℃，温度均匀性≤5%设定值；3.下电极转动角度范围-90~80°，step1°；下电极转速范围0~20rpm;4.刻蚀速率＞100A/min，片内片间均匀性＜5%（略）年10月
7（略）YX（略）A（略）敏感元件、磁性材料、（略）1套。主要技术指标：1.铁电模块：内置±40V测试电压，外扩5kV高压放大器，最大PE测试频率5kHz，最大电荷解析度10mC，温度范围-160℃～260℃，漏电流范围1pA～20mA，配有高压击穿保护模块、超温自动断电保护模块；2.介电模块：标准介电频率范围100Hz～1MHz，温度范围-180℃～400℃；偏压介电频率范围100Hz～200kHz，温度范围-180℃～260℃，最大偏压5kV;3.热释电模块:测量范围0.1pA～1μA，温度范围-180℃～260℃，控温精度±0.1℃；（略）年10月
8（略）YX（略）A（略）真（略）1套。主要技术指标：1、基片尺寸：8英寸（兼容小尺寸基片）2、配备溅射室和进样室双腔室3、磁控溅射靶：8英寸,3套；4、配置1套直流电源，2套射频电源：5、配置3路工艺气体氩气，氮气，氧气6、膜厚均匀性：TiN薄膜300nm在8英寸内非均匀性≤5%，可沉积AlScN薄膜（9点测试）（略）年10月
9激光脉冲分子束外延YX（略）A（略）真空应用设备拟购激光脉冲分子束外延1台。主要规格参数：1.激光波长：380nm；2.超高真空配置高能电子束衍射RHEED；3.RT-850摄氏度范围沉积；4.四靶位靶台，每个2英寸靶都可以插拔；5.可以通N2、O2、Ar三路气氛；6.真空度可达7e-9Torr；7.激光重频：50Hz；8.激光能量：700meJ；9.样品尺寸：4英寸；10.加热温度：室温-850℃（略）年10月
10湿法化学清洗站YX（略）A（略）其他化学药品和中药设备拟购湿法化学清洗站1套。主要规格参数：1.兼容氢氟酸刻蚀2.兼容氢氧化钾刻蚀3.兼容过氧硫酸清洗和RCA清洗4.兼容兼容金属刻蚀（略）年10月
11（略）YX（略）A（略）（略）1套。主要规格参数：1.衬底尺寸：最大6寸2.刻蚀速率：最快1um/min（略）年10月
12高速实时示波器YX（略）A（略）记录电表、电磁示波器拟购高速示波器1套。主要技术指标：1.带宽：两通道33GHz，四通道16GH采样率：两通道80GSa/s,四通道40GSa/s2.硬件ADC位数：8bit3.每通道存储深度:200Mpts,最高可升级到2Gpts4.固有抖动：≤100fsRMS(采样时间≤1ms)5.垂直噪声:33GHz带宽，50mV/格时，≤2.1mV(rms)6.时间量程精度：≤±[0.1ppm(校准后的即时精度)±0.1ppm/年(老化率)]（略）年12月
13（略）络分析仪YX（略）A（略）（略）络分析仪1台。主要技术指标：1.测试频率范围：10MHz至67GHz2.测试端口数：4个，每个端口内置BiasTee3.（略）动态范围（指标值）：≥（略）@0.5GHz-26.5GHz，≥（略）@26.5GHz至35GHz,≥（略）@35GHz至40GHz，≥（略）@40GHz至67GHz4.测试端口输出最大功率（典型值）：≥（略）@10MHz至16GHz,≥（略）@16Hz至35GHz，≥（略）@35GHz至67GHz5.内置源相位噪声（10kHz频偏）：≤-128dBc/（略）@1GHz载波，≤-110dBc/（略）@10GHz载波6.具有差分IQ测量功能（略）年12月
14频谱分析仪YX（略）A（略）其他分析仪器频谱分析仪1台。主要技术指标：1.频率范围：2Hz至50GHz2.信号分析带宽不小于510MHz3.测试总体幅度精度（95%置信度）：±0.19dB（f<3.6GHz）4.显示平均噪声电平（指标值）：前置放大器打开：≤（略）@1GHz,≤（略）@10GHz,≤（略）@30GHz,≤（略）@40GHz,≤（略）@50GHz;前置放大器关闭：≤（略）@1GHz,≤（略）@10GHz，≤（略）@30GHz,≤（略）@40GHz,≤（略）@50GHz5.三阶交调截断点（TOI，指标值）：≥（略）@1GHz，≥（略）@10GHz，≥（略）@20GHz，≥（略）@30GHz，≥（略）@50GHz6.相位噪声（载波1GHz，指标值）：≤（略）@10kHz频偏，≤（略）@1MHz频偏，≤（略）@10MHz频偏（略）年12月
1512（略）YX（略）A（略）半导体器件参数测量仪拟购12（略）1套。主要技术指标：1.支持12寸及以下晶圆和器件的半自动分析与表征2.提供4路IV直流测试通道，最小测试分辨率0.1fA，支持CV测试，频率范围：20Hzto2MHz3.支持制程芯片1/f噪声测试，最高带宽：100kHz，本底噪声：1e-28A2/Hz（略）年12月
16存储芯片FT测试自动化分选机YX（略）A（略）（略）拟购存储芯片FT测试自动化分选机1台。主要技术指标：用于先进存储器芯片智能检测设备中的存储器芯片自动化上下料，属于定制设备。（略），将指定的待测芯片抓取并按方向放入指定的测试板的socket中，（略）邦定，获取：（略）
17（略）YX（略）A（略）物理特性（略）1台。主要技术指标：1.温度范围：<1.9K，-400K；2.温度稳定性：温度低于20K时，±0.1%；温度高于20K时，±0.02%；3.磁场强度：0～±14T；4.场均匀性：0.1%over5.5cmonaxis；5.扫描速度：0.2～100Oe/s；6.振动样品磁强计直流磁学测量功能选件：7.最大可测磁矩：40emu/振动峰值；8.振动幅值：0.5mm～10mm；9.振动频率：10Hz～80Hz；10.灵敏度：优于10e-6emu（略）年10月
18三维光学轮廓仪YX（略）A（略）光学测试仪器拟购三维光学轮廓仪1台。主要技术指标：1.光源：内置两个独立的长寿命LED光源，根据不同工作模式的需要单独或同时激发，在两个光源之间转换时没有任何机械转动以及随之产生的时间延迟和振动，（略）及测量精度。2.垂直方向单次测量量程：≥10mm，全量程闭环控制，不采用压电陶瓷垂直方向多次拼接方式：（略）
19霍尔效应测试仪YX（略）A（略）半导体器件参数测量仪拟购霍尔效应测试仪1台。主要技术指标：测量包括：迁移率，载流子浓度，电阻率，电阻，范德堡法测试，霍尔巴法测试；电磁铁:±2.5T，±35V，±70A；线圈电阻:0.5Ω（20度）；温度选项：低温3K～300K；高温300K～1273K；磁场扫描采用集成高斯计，磁场校准采用霍尔探头，所有参数可通过软件控制（略）年10月
20高真空多靶共聚焦溅射台YX（略）A（略）真空应用设备拟购6英寸高真空多靶共聚焦溅射台2套主要技术指标：可加工基片尺寸：6英寸并向下兼容；极限真空优于5x10-7Torr；样品台可旋转，配备可传送样品托盘和预真空室；配备2英寸高真空共溅射靶枪，预留2个法兰接口，可集成2个最大3英寸靶枪；带1套射频电源和2套直流电源，沉积均匀性：±5%@100mm基片（略）年10月
21（略）YX（略）A（略）（略）1套主要技术指标：1、反应腔兼容8英寸以下的衬底，工艺温度为室温至500℃；2、（略），射频电源频率13.56MHz，功率0-300W可调3、配备4（略），2（略），2（略），管路最高加热温度300℃；4、（略）；5、配置1套氨气和1（略）；6、8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%，支持Sc掺杂氮化铝的制备（1sigma,边缘去除5mm,薄膜厚度采用椭偏仪测试）（略）年10月
22相变材料测试仪YX（略）A（略）电子元件参数测量仪拟购相变材料测试仪1台主要技术指标：1.温度范围：RT-1200℃；2.程序升温重复性偏差：＜1.0%，速率偏差＜1.0%；3.相变温度测量精密度偏差：＜3.0%，正确度偏差＜3.0%；4.热膨胀系数测量精密度偏差：＜4.5%，正确度偏差＜15%（略）年10月
23晶圆键合机YX（略）A（略）其他试验仪器及装置拟购晶圆键合机1台。主要技术指标：样品尺寸：8英寸向下兼容；腔内真空度：最低5.50×10-5mbar；腔内压强精度：±2.5%（0.1-10mbar）、±1%（10-1000mbar）；加热温度：上下键合加热板温度独立可控，最高可至500℃；温度均匀性±2%（片内）、温度重复性±=3℃，降温速度：12=℃/min，最大压力≥60kN（略）年10月
本次公开的采购意向是本单位：（略）
（略）
2024年09月06日